萬向捷科技專業(yè)經(jīng)銷美國確信愛法Alpha無鉛錫線
美國確信愛法Alpha無鉛錫線SAC305(Φ0.81mm)
無鉛錫線的優(yōu)點(diǎn):綠色環(huán)保,無污染濕潤時(shí)間短,可焊性好。線內(nèi)松香分布均勻,連續(xù)性好。烙鐵頭浮渣少。自動(dòng)走線時(shí)錫絲不會(huì)纏結(jié)。卷線整齊,美觀,表面光亮。無惡臭味,煙霧少,不含有毒害健康之揮發(fā)氣體。
SAC305(Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5)
錫線線徑:¢0.81mm
錫線助焊劑含量:2.0%
包裝說明:1Kg/卷
包裝數(shù)量:20Kg/箱
以上無鉛錫線大量備貨經(jīng)營,均比市場優(yōu)惠,歡迎垂詢
產(chǎn)品特征:1.可提供各種外形和中心軸尺寸設(shè)計(jì) 2.提供DIP和SMT兩種安裝類型的選擇,3.接觸終點(diǎn)使用彈性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì), 4. 確保良好而穩(wěn)定的電量接觸和使用壽命長,5.符合ROHS指令。 產(chǎn)品應(yīng)用:主要應(yīng)用在MID機(jī)、手機(jī)、CD機(jī),DVD機(jī),導(dǎo)航儀,電腦及電子設(shè)備等等。
產(chǎn)品電氣特性:1.額定電壓:30V AC 2.額定電流:0.5A3.接觸阻抗:100mΩ Max. 4. 絕緣阻抗:100MΩ Min.5.耐電壓:500V AC
產(chǎn)品機(jī)械特性:1.插入力:2.2-22.2Newtons 2. 拔出力:2.2-22.2Newtons3.耐久性:5000Cycles產(chǎn)品操作溫度: -20℃ To +85℃
東莞市北冠電子有限公司
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PVD物理氣相沉積鍍膜
顯然,單晶硅材料是目前為止最重要的半導(dǎo)體材料,沒有之一。一方面作為IC芯片引領(lǐng)智能計(jì)算機(jī)/手機(jī)等等和自動(dòng)化控制領(lǐng)域,另一方面又可作為功能材料,為工業(yè)界/實(shí)驗(yàn)室/科研單位等提供良好的單晶/外延載體,為人類的科研北京堯電科技創(chuàng)新事業(yè)再續(xù)力量。
本司提供:2英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸單拋,雙拋硅片。并可加工成方片,及其他規(guī)格小片,大片。支持混批,支持私人定制。
材質(zhì):高純硅Si單晶基片 ;
導(dǎo)電類型:N/P型可選,電阻率:0.0001-100歐,
生長方式: 直拉
晶 向: [111]/[100]/[110];
平 整 度: <1微米(衡量整體翹曲程度)
表面粗糙度:5埃左右(衡量表面微觀形貌);
用 途: 1、PVD/CVD鍍膜做襯底;
2、用作XRD(X射線衍射分析)、SEM(掃描電鏡)、AFM(原子力顯微鏡)、FTIR紅外、
熒光光譜等分析測試北京堯電科技基底;
3、同步輻射實(shí)驗(yàn)樣品載體;
4、分子束外延生長的基底;
5、半導(dǎo)體光刻工藝等等
單晶硅-Si基片-IC級芯片-科研試驗(yàn)作為外延芯片或鍍膜基片
LASF N9 光學(xué)玻璃片
以下來自百度百科 僅供參考 謝謝!!
· 利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能,實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始,F(xiàn)在,國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段,正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡,太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍,市場需求量不言而喻。北京2008年奧運(yùn)會(huì)將把“綠色奧運(yùn)”做為重要展示面向全世界展現(xiàn),單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)。
· 先是石頭,(石頭都含硅),把石頭加熱,變成液態(tài),在加熱變成氣態(tài),把氣體通過一個(gè)密封的大箱子,箱子里有N多的子晶加熱,兩頭用石墨夾住的,氣體通過這個(gè)箱子,子晶會(huì)把氣體中的一種吸符到子晶上,子晶慢慢就變粗了,因?yàn)槭菤怏w變固體,所以很慢,一個(gè)月左右,箱子里有就很多長長的原生多晶硅,當(dāng)然,還有很多的廢氣啊什么的,(四氯化硅)就是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的吧,好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西,廢話不多說,原生多晶有了,就開始酸洗,氫氟酸啊硝酸啊,乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了,就過烘房烘干,無塵檢查打包,送到拉晶,拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化,在用子晶向上拉引,工人先把多晶硅放進(jìn)石英鍋里,(廠里為了減少成本,也會(huì)用一些洗好的電池片,碎硅片一起融)關(guān)上爐子加熱,石英鍋的融點(diǎn)是1700度,硅的融點(diǎn)才1410度左右,融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來,子晶從上面下降,點(diǎn)到鍋的中心液面點(diǎn),也慢慢反方向轉(zhuǎn),鍋下面同時(shí)在電加熱,液面上加冷,子晶點(diǎn)到液面上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)光點(diǎn),慢慢旋轉(zhuǎn),向上拉引,放肩,轉(zhuǎn)肩,正常拉棒,收尾,一天半左右,一個(gè)單晶棒就出來了,當(dāng)然還有很多是經(jīng)驗(yàn),我文筆不太好,說不清楚,比如放母合金,控制溫度什么的,單晶棒有了就切方,單晶棒一般是做6英寸的,P型,電阻率0。5-6歐姆(一英寸等于2。4厘米左右)切掉棒子四邊,做成有倒角的正方形,在切片,0。22毫米一片吧。
· 單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個(gè)領(lǐng)域,當(dāng)今全球超過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中95[%]以上的半導(dǎo)體器件及99[%]以上的集成電路用硅。
但我國硅單晶產(chǎn)量主要集中在技術(shù)含量偏低的太陽能用單晶硅上,IC用硅單晶尤其是8英寸以上硅晶片基本依賴進(jìn)口,遠(yuǎn)不能滿足國內(nèi)IC市場的需求。但在2007年5月24日,國家“863”計(jì)劃超大規(guī)模集成電路(IC)配套材料重大專項(xiàng)總體組在北京組織專家對西安理工大學(xué)和北京有色金屬研究總院承擔(dān)的“TDR-150型單晶爐(12英寸MCZ綜合系統(tǒng))”完成了驗(yàn)收。這標(biāo)志著擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的大尺寸集成電路與太陽能用硅單晶生長設(shè)備,在我國首次研制成功。這項(xiàng)產(chǎn)品初步改變了在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域研發(fā)制造受制于人的局面。
未來中國國內(nèi)的太陽能應(yīng)用市場必然會(huì)成長起來,這可以從國家對新能源的政策傾斜看出來。過去太陽能電池的主要市場是德國,以后,美國、日本及中國將可能成為新興市場。太陽能電池廣闊的發(fā)展空間,將為單晶硅帶來巨大的需求。
北京堯電科技有限公司提供單晶硅片和單晶硅-Si基片-IC級芯片-科研試驗(yàn)作為外延芯片或鍍膜基片
PVD物理氣相沉積鍍膜
非球面透鏡、球、半球透鏡,大功率LED玻璃封裝鏡片,正、超半球透鏡,棒鏡。擁有現(xiàn)代化生產(chǎn)設(shè)備80多臺套。材料可以是:普通光學(xué)玻璃、K9、石英、藍(lán)寶石、鍺以及很脆的軍工材料ZnS、ZnSe等。加工直徑范圍可以從1mm-40mm。擁有美國藍(lán)寶石圓球晶軸檢測和半球鏡檢測儀器確保品質(zhì)超群、供貨及時(shí)。
LC1D3210Q5C施耐德接觸銷售熱線-15858888772
◎ 采用線性光電隔離,頻響寬、精度高
◎ 標(biāo)準(zhǔn)信號4-20mA、0-5V輸入
◎ 標(biāo)準(zhǔn)信號4-20mA、0-5V輸出
◎ DIN標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)軌安裝
◎ DC 24V或DC12V工作電源
一、 型號含義

二、 型號及技術(shù)參數(shù)
| 產(chǎn)品主型號 | 輸入信號 | 功能描術(shù) | 精度等級 | 輸出信號 | 負(fù)載能力 | 響應(yīng)時(shí)間 | 靜態(tài)功耗 |
| TE-T1C1B | 0~20mA 0~5A 4~20mA 1~5V | 1入1出,兩隔離 | 0.2 | 0~5V | 5mA | 120mS | 40mW |
| TE-T1C1C | 1入1出,兩隔離 | 0.2 | 4~20mA | 6V | 120mS | 100mW | |
| TE-T1C4C | 1入2出,全隔離 | 0.5 | 4~20mA | 6V | 150mS | 550mW | |
| TE-T2C2B | 2入2出,兩隔離 | 0.2 | 0~5V | 5mA | 120mS | 250mW | |
| TE-T2C2C | 2入2出,兩隔離 | 0.2 | 4~20mA | 6V | 120mS | 250mW | |
| TE-T2C4B | 2入2出,全隔離 | 0.2 | 0~5V | 5mA | 120mS | 400mW | |
| TE-T2C4C | 2入2出,全隔離 | 0.2 | 4~20mA | 6V | 120mS | 400mW |
三、 技術(shù)參數(shù)
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PCI Express (亦稱為 PCI-E),被視為是取代 PCI 以提供更高帶寬的 I/O 接口。PCI Express 具有每通道2.5Gbs (雙向?yàn)?Gbs)、每一路徑 8Gbs/秒的效能頻寬;針對 Desktop、Mobile Computing、Server 整合各種IO總線應(yīng)用,并且與既有PCI軟件兼容;其進(jìn)的架構(gòu),亦具備穩(wěn)定性、適用性及電源管理功能,在下一代3D/多媒體應(yīng)用,提供虛擬信道概念、及 QoS 功能,并且支持熱插拔及比 mini PCI 更小的 form factor 創(chuàng)新設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
支持 PCI Express X1 總線2.5Gb/s規(guī)格 提供2個(gè)獨(dú)立的RS-422/485 串口可供jumper選擇 串口傳輸速度可達(dá) 921.6Kbps 支持128Kbyte 軟件FIFO超大緩沖區(qū),提升系統(tǒng)效能 內(nèi)建終端電阻,避免訊號交叉干擾 15KV 浪涌(突波)保護(hù)和2.5KV 光電隔離保護(hù) 微軟WHQL硬體質(zhì)量標(biāo)志認(rèn)證
顯示器: 13 mm 4位液晶
測量單位: 速度:米/秒,千米/時(shí),呎/分,節(jié)
流量:CMM(米³/分)
CFM(呎³/分)
風(fēng)級:蒲福氏風(fēng)級
浪高:米
風(fēng)向:°以正北方向?yàn)榛鶞?zhǔn)
溫度: -10℃ - 60℃(14℉ ~ 140℉)
數(shù)據(jù)保持: 最大值
記憶: 24 組
采樣速率 : 約1秒
傳感器: 風(fēng)速/流量:3杯
風(fēng)向:低摩擦方向指針
溫度: 熱敏電阻
自動(dòng)關(guān)機(jī): 0-9 分鐘之間任意設(shè)定
數(shù)據(jù)輸出: RS 232 C 數(shù)據(jù)接口
操作溫度: -10℃ - 50℃(32℉ ~ 122℉)
操作濕度: 最大80%RH
電源: 4節(jié)7號電池
重量: 約260克.包括電池和傳感器
尺寸: 3杯傳感器: 65x65x115mm
方向指針: 86x69x115mm
主機(jī): 156x67x28mm
(6.1x2.6x1.1")