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ICPECVD沉積技術(shù)
NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可達6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：
等離子誘導表面改性：就是通常所說的用等離子實現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
等離子清洗：去除有機污染物
等離子聚合：對材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)
沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石)，以及其它薄膜
CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長：在需要的位置生長CNT或石墨烯。
NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)特點：
立式ICPECVD系統(tǒng)
不銹鋼或鋁制腔體
極限真空可達10-7Torr
全自動上下載片，帶預(yù)真空鎖
ICP離子源
高達6”(150mm)直徑的樣品臺
RF射頻偏壓樣品臺
水冷樣品臺
可加熱到的800 °C樣品臺
加熱的氣體管路
加熱的液體傳送單元
抗腐蝕的渦輪分子泵組
最大可支持到8MFC
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖
關(guān)鍵詞：NPE-4000 (ICPA) 全自動等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
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