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PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

  • 市場價格: 電議
  • 產(chǎn)品型號: PLD
  • 更新時間: 2020/5/26 15:05:47
  • 生產(chǎn)地: 中國大陸
  • 訪問次數(shù): 91次
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Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù) 高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)

詳細內(nèi)容

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公司簡介

儀器簡介:

Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積)

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)

高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera開發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD在沉積復雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD能力結(jié)合在一起。得到無人倫比的技術(shù)專家知識的支持Neocera離子輔助的PLD系統(tǒng)會得到重要應用經(jīng)驗的支持。系統(tǒng)開發(fā)結(jié)合了Neocera的工程和工藝經(jīng)驗,保證了最大的用途和工藝性能。

利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩(wěn)定的YSZ基片上,開發(fā)了具有下列性能的雙軸結(jié)構(gòu)的YBCO薄膜:

l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°

l 轉(zhuǎn)變溫度Tc在88-89K,轉(zhuǎn)變寬度DTc約為約為0.5 K

l 77 K零場強時,臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2

l 77 K時,磁深入深度l: 284nm

l 77 K,10G時,表面電阻Rs等于700mW

Continuous Composition Spread (連續(xù)組成擴展)

一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴展(CCS)方法。

經(jīng)濟的組合合成

組合合成是材料科學中最激動人心的最新進展。在一次鍍膜實驗中,生產(chǎn)多種不同材料組成的能力,大大的提高了獲得具有期望材料性能的最佳組成的速度。然而,現(xiàn)有組合合成系統(tǒng)的高成本對絕大多數(shù)研究預算來說都是不切合實際的。

得到Neocera PLD經(jīng)驗的支持

Neoceora已經(jīng)應用我們豐富的PLD和開發(fā)性能可靠的經(jīng)濟型設備的經(jīng)驗,發(fā)明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續(xù)組成擴展)系統(tǒng)。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元,假二元,或三元體系的組成這一固有特性。

常規(guī)沉積條件下的組合合成

PLD-CCS能以連續(xù)的方式,而不是間隔的方式改變材料,沒有必要使用掩模。這就允許在每一次循環(huán)中,以小于一個單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每一種組份,其結(jié)果是基本等同于共沉積法。事實上,該法無需在沉積后進行退火促進內(nèi)部擴散或結(jié)晶,對于生長溫度是關鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。

Laser MBE (激光分子束外延)

一種納米尺度薄膜合成的理想方法,PLD和原位高壓RHEED的結(jié)合,

為單分子水平上的薄膜生長提供了精確控制。

使用激光MBE是納米技術(shù)研究的理想工具

激光MBE是普遍采用的術(shù)語,定義了高真空下的PLD與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應用。該法為用戶提供了類似于MBE的薄膜生長的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術(shù)的驅(qū)動,激光MBE變得對用戶更加有益。

正確的設計是成功使用RHEED和PLD的重要因數(shù)

RHEED通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,維持RHEED槍的工作壓力,同時保持500 mTorr的PLD工藝壓力。同時,設計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關重要的。

Neocera的激光MBE系統(tǒng)為用戶在壓力達到500mTorr時所需的單分子層控制。



技術(shù)參數(shù):

一種用途廣泛的、用于薄膜沉積和合成納米結(jié)構(gòu)和納米粒子的方法。
PLD是一種復雜材料沉積的創(chuàng)新方法
激光脈沖鍍膜(PLD)是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。PLD的獨特之處是能量源(脈沖激光)位于真空室的外面。這樣,在材料合成時,工作壓力的動態(tài)范圍很寬,達到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外,PLD是一種&ldquo;數(shù)字&rdquo;技術(shù),在納米尺度上進行工藝控制(A&deg;/pulse)。
Neocera Pioneer系列 PLD系統(tǒng)&shy;&mdash; 基于卓越經(jīng)驗的有效設計
Neocera利用PLD開展了深入廣泛的研究,建立了獲得最佳薄膜質(zhì)量的臨界參數(shù),特別適用于沉積復雜氧化物薄膜。這些思考已經(jīng)應用于Pioneer系統(tǒng)的設計之中。
很多復雜氧化物薄膜在相對高的氧氣壓力(>100 Torr)下冷卻是有利的。所有Pioneer系統(tǒng)設計的工作壓力范圍從它們的額定初始壓力到大氣壓力。這也有益于納米粒子的生成。
Pioneer PLD系統(tǒng)的激光束的入射角為45&deg;,保持了激光密度在靶材上的最大均勻性,同時避免使用復雜而昂貴的光學部件。淺的入射角能夠拉長靶材上的激光斑點,導致密度均勻性的損失。
為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體,消除擔心油的回流對薄膜質(zhì)量的影響,所有Pioneer系統(tǒng)的標準配置都采用無油泵系統(tǒng)。
所有的系統(tǒng)都可以按完整PLD實驗室的方式獲得,包括248nm激光器,激光氣體柜,激光和光學器件臺,光學器件包。
我們的研究表明靶和基片的距離是獲得最佳薄膜質(zhì)量的關鍵參數(shù)。Pioneer系統(tǒng)采用可變的靶和基片的距離,對沉積條件進行最大的控制。



主要特點:

 

 Pioneer240Pioneer180Pioneer120Pioneer80
最大wafer直徑

 
           4&rdquo;

2&rdquo;

1&rdquo;

0.5&rdquo;


最大靶材數(shù)量 
            
6個1&rdquo; 或3個2&rdquo; 6個1&rdquo; 或3個2&rdquo; 6個1&rdquo; 或3個2&rdquo;4個1&rdquo;
壓力(Torr) <10-8<10-6 <10-6<10-6
真空室直徑 
            
            
24&rdquo;18&rdquo;

 

12&rdquo;

8&rdquo;
基片加熱器 
            
4&rdquo;,旋轉(zhuǎn)3&rdquo;,旋轉(zhuǎn)2&rdquo;, 平板1&rdquo;,平板
最高樣品溫度 
            
850 &deg; C850 &deg; C950 &deg; C950 &deg; C
Turbo泵抽速
           (liters/sec) 
            
80026026070
計算機控制包括包括包括 包括
基片旋轉(zhuǎn) 包括 包括 --
基片預真空室 包括 選件 選件 -
掃描激光束系統(tǒng) 包括 選件 - -
靶預真空室 包括 ---
IBAD離子束輔助沉積 選件選件選件 -
CCS連續(xù)組成擴展  選件選件 --
高壓RHEED 選件- -- 
520 liters/sec 泵  a/n選件 - - 

關鍵詞:PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)  

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