PICOSUN®R-200高級(jí)

PICOSUN®R-200高級(jí)

PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。

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技術(shù)特點(diǎn)

典型的基材尺寸和類(lèi)型

50-200 mm單晶片

156毫米x 156毫米太陽(yáng)能硅晶片

3D物件

粉末和顆粒

小批量

多孔，貫通孔和高長(zhǎng)寬比（高達(dá)1：2500）

加工溫度

50 – 500°C，等離子450°C（650°C，可根據(jù)要求提供加熱卡盤(pán)）

典型流程

Al2O3，TiO2，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，ZrO2，AlN，TiN，金屬如Pt或Ir

基板加載

用氣動(dòng)升降機(jī)手動(dòng)裝載

磁力鎖機(jī)械臂

搬運(yùn)機(jī)器人半自動(dòng)裝載

使用集群工具在盒式磁帶間加載

前體

液體，固體，氣體，臭氧，等離子（*）

多達(dá)12個(gè)帶有6個(gè)獨(dú)立進(jìn)樣口的離子源（如果選擇等離子選項(xiàng)，則為7個(gè)）

選件

群集工具，Picoflow™擴(kuò)散增強(qiáng)劑，卷對(duì)卷室，RGA，UHV兼容性，N2發(fā)生器，氣體洗滌器，定制設(shè)計(jì)，用于惰性裝載的手套箱集成

PICOSUN®R-200高級(jí)ALD系統(tǒng)是高級(jí)ALD研究工具的全球市場(chǎng)ling導(dǎo)者，已有數(shù)百個(gè)客戶(hù)安裝。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了zui  高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及zui  終的系統(tǒng)靈活性，可以滿(mǎn)足未來(lái)的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)具有完全獨(dú)立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒工藝，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們專(zhuān)有的Picoflow™技術(shù)，即使在zui  具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長(zhǎng)寬比和納米顆粒樣品上也能實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Advanced系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源。高效且獲得的遠(yuǎn)程等離子選件可實(shí)現(xiàn)金屬沉積，而沒(méi)有短路或等離子損壞的風(fēng)險(xiǎn)。與手套箱，UHV系統(tǒng)，手動(dòng)和自動(dòng)裝載機(jī)，集群工具，粉末倉(cāng)，卷對(duì)卷倉(cāng)以及各種原位分析系統(tǒng)集成在一起，無(wú)論您現(xiàn)在或?qū)��?lái)的研究ling域如何，都可以高效，靈活地進(jìn)行研究，并獲得良好的結(jié)果稍后。

（*）等離子發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：

遠(yuǎn)程血漿源安裝到裝載室并與反應(yīng)室連接

出色性能的適用于不同化學(xué)性質(zhì)的藍(lán)寶石涂藥器

商用微波等離子體發(fā)生器，具有300 – 3000 W可調(diào)功率，2.45 GHz頻率

保護(hù)氣體在中間空間中流動(dòng)（無(wú)等離子體物質(zhì)的反向擴(kuò)散）

在相同的沉積過(guò)程中，等離子體和熱ALD循環(huán)的可能性，而無(wú)需對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行硬件更改

以下相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)估電源的符合性：DIN EN ISO 12100：

電源的開(kāi)發(fā)和制造滿(mǎn)足SEMI S2-0310的要求