原子層沉積（ALD）是一種先進(jìn)的薄膜涂覆方法，可用于制造超薄，高度均勻和共形的材料層，以用于多種應(yīng)用。 ALD使用順序，自限和表面受控的氣相化學(xué)反應(yīng)來控制納米/亞納米厚度范圍內(nèi)的薄膜生長。由于成膜機(jī)理–氣體直到與表面接觸才發(fā)生反應(yīng)，這意味著膜的生長是通過連續(xù)的原子層從表面“向上”進(jìn)行的– ALD膜致密，裂紋，缺陷和針孔。原子的自由度及其厚度，結(jié)構(gòu)和化學(xué)特性可以精確控制。 ALD過程是數(shù)字可重復(fù)的，并且可以在相對較低的溫度下執(zhí)行。這不僅可以構(gòu)造單一材料層，還可以構(gòu)造摻雜，混合或漸變的層和納米層壓板，而較低的工藝溫度還可以涂覆敏感的材料，例如塑料和聚合物。 ALD材料的范圍很廣，例如從氧化物，氮化物，氟化物，碳化物和硫化物，形成三元化合物，金屬（包括貴金屬），雜化材料和聚合物。

ALD使我們的現(xiàn)代，移動和互聯(lián)生活成為可能。

在過去的幾年中，ALD的應(yīng)用數(shù)量呈指數(shù)增長。如今，結(jié)合摩爾定律和不斷減小的IC（集成電路）器件尺寸，ALD是wei一一種可以制造功能材料層足夠薄但仍具有zui  高質(zhì)量，均勻性，一致性和結(jié)構(gòu)完整性的方法。在當(dāng)今的存儲器，邏輯和硬盤組件中常見的納米級特征和高長寬比結(jié)構(gòu)。簡而言之，ALD使我們的現(xiàn)代移動通信設(shè)備以及越來越緊湊和高效的計算機(jī)成為可能。

ALD正在遍及全球工業(yè)ling域。

除了IC組件制造之外，ALD的其他大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用還可以在傳感器，LED和其他III-V器件以及MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造中找到。 ALD膜還用于光學(xué)和光電，防銹蝕和腐蝕保護(hù)以及可再生能源應(yīng)用，例如太陽能，該方法為能量存儲和生產(chǎn)（例如高級薄膜電池和燃料電池），生物相容性和醫(yī)療設(shè)備和植入物，生態(tài)包裝材料，防潮和氣密密封劑層，裝飾性涂層以及疏水/親水性涂層的生物活性表面功能化。

PICOSUN®R-200高級ALD鍍膜設(shè)備

Picosun簡介

Picosun是一家全球公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計，并且不斷發(fā)展以提高效率。

Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶包括zui  大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及全球ling先的大學(xué)。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有獨(dú)特的內(nèi)置可擴(kuò)展性，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會出現(xiàn)技術(shù)差距。

Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時，Picosun是您的合作伙伴。

Picosun獨(dú)特的突破性ALD專業(yè)知識可追溯到ALD技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ALD方法，并在工業(yè)上獲得了。在高質(zhì)量ALD系統(tǒng)設(shè)計方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。高度敬業(yè)的Picosun人員擁有無與倫比的ALD經(jīng)驗(yàn)，并且為ALD的許多做出了貢獻(xiàn)。

ALD主要應(yīng)用：

1.在集成電路上的應(yīng)用：Fin-FET和HKMG工藝在Si襯底上長高K絕緣層HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；電容器金屬電極；晶體管柵電極；TSV電鍍銅前長阻擋層和種子層；

2.在顯示中的應(yīng)用：在Micro-LED中通過在溝槽中長鈍化層來改善光散射性能；在OLED中低溫長防水層。

3.在激光器和功率器件的應(yīng)用：VCSEL側(cè)面長AlN、Al2O3保護(hù)層；GaN高頻器件T Gate刻蝕后去氧化層并鍍上保護(hù)層。

4.驗(yàn)證光刻膠性能：第三方實(shí)驗(yàn)室或者工廠FA部門，涂膠后通過低溫ALD鍍一層很薄的膜來保持住光刻膠的整體形貌，然后通過FIB+TEM等方法來驗(yàn)證光刻膠性能，如果不鍍膜直接上FIB或TEM會破壞光刻膠原有的形貌，無法獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。

5.其他應(yīng)用：MEMS/SAW等做高均勻性鍍膜，鋰電池、醫(yī)療等行業(yè)等粉末鍍膜。

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場ling導(dǎo)者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。

敏捷的設(shè)計實(shí)現(xiàn)了zui  高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的zui  終靈活性，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計具有完全獨(dú)立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術(shù)，即使在zui  具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究ling域是什么，或以后可能成為什么樣的研究ling域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。