產(chǎn)品特性
1. 系統(tǒng)含有兩個(gè)腔體: 真空腔和沉積反應(yīng)腔。地防止溫度和真空度的泄漏,保持穩(wěn)定的沉積反應(yīng)條件,成膜均一細(xì)致無漏點(diǎn)。這是其他只有單一腔體設(shè)備所不能達(dá)到的。沉積腔與真空腔分開，沉積腔嵌入真空腔，形成一種保護(hù)套設(shè)備，可地防止沉積反應(yīng)過程中沉積腔內(nèi)的溫度和化學(xué)氣體泄漏，從而沉積腔內(nèi)的體系穩(wěn)定，不會有二次的化學(xué)反應(yīng)。成膜效果和不損傷設(shè)備。真空腔一般會用密封膠圈密封，沉積腔處于高溫、真空腔處于室溫，所以密封膠圈在室溫下壽命長、密封效果好，真空腔的真空度不會泄漏，從而成膜質(zhì)量。如果沉積腔與真空腔共用一個(gè)腔體，密封膠圈在高溫下使用，壽命短，時(shí)間一長密封效果不好，真空度會泄漏，從而成膜質(zhì)量下降。

2. 前軀體化學(xué)品在反應(yīng)腔中流動方向類似花傘噴射,垂直沉積于基體上,快速穩(wěn)定,有別于橫流式沉積系統(tǒng)。獨(dú)特的頂端流動(showerhead)沉積模式比傳統(tǒng)的橫向流動沉積模式在成膜效果（尤其對多孔，表面積大的粉體或不規(guī)則材料）、沉積時(shí)間、自動控制等方面都有很顯著的提高。

3. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)簡單精確地控制薄膜的厚度，形成達(dá)到原子層厚度精度的薄膜�？缮�成極好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層。前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，生成大面積均勻性的薄膜，不需要控制反應(yīng)物流量的均一性。可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物。

4．可廣泛適用于各種形狀的襯底。原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件，而生長的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢壘。

5. 前驅(qū)體源裝置穩(wěn)定，可以用20年，并不是簡單的源瓶帶個(gè)加熱夾套。沉積腔表面經(jīng)過耐腐蝕處理，能夠適應(yīng)氯化物和氟化物等前驅(qū)體化學(xué)品的強(qiáng)腐蝕，這是其他廠家不具備的。樣品載物臺升降為氣動式控制，具有自鎖功能。樣品沉積過程中可很穩(wěn)定地保持體系環(huán)境(例如濕度對于一些氮化物沉積就比較敏感),地減少環(huán)境波動對沉積效果的影響。系統(tǒng)配置獨(dú)立的軟件，具有自鎖和保護(hù)功能，并不是用簡單的Labview軟件來控制(Labview軟件容易被客戶修改，對設(shè)備使用來說具有危險(xiǎn)性)。

6．系統(tǒng)還配備特有的觸摸屏顯示器，方便操作,已經(jīng)被一些知名的半導(dǎo)體廠商并使用(例如IBM) 。我們有30年的研發(fā)和使用經(jīng)驗(yàn)，在ALD領(lǐng)域擁有100多項(xiàng)的專利。

產(chǎn)品規(guī)格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可選配
工作溫度: 100—400攝氏度 (500攝氏度可選)
真空腔體尺寸: 250, 320, 400mm
反應(yīng)腔體: 具有大,中,小三種
反應(yīng)腔體材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驅(qū)體源: 2--4種，可為固體/液體/氣體
樣品載臺: 氣動式移動
 
ALD的應(yīng)用
半導(dǎo)體領(lǐng)域：
晶體管柵極電介質(zhì)層（高k材料），光電元件的涂層，晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層（阻止摻雜劑的遷移），有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層。
納米技術(shù)領(lǐng)域：
中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的反靜態(tài)阻力涂層和憎水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米管，存儲硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線的涂層。