低溫三維探針臺(tái)的技術(shù)參數(shù)
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10K~325K）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75T，在Y軸上為0.75 T，在z軸上為0.4T。
磁場(chǎng)均勻性：中心區(qū)域60mm球體內(nèi)為1%。 更多詳細(xì)

高溫磁場(chǎng)加熱系統(tǒng) 探針臺(tái)
主要技術(shù)指標(biāo)：
※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）
※ 控溫精度：±1℃
※ 溫度分辨率：0.1℃
※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10m 更多詳細(xì)

錦正茂科技低溫三維磁場(chǎng)探針臺(tái) 半導(dǎo)體測(cè)試
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10K~325K）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75T，在Y軸上為0.75 T，在z軸上為0.4T。 更多詳細(xì)

高低溫探針臺(tái) 用于傳感器 半導(dǎo)體 光電測(cè)試實(shí)驗(yàn)臺(tái)
1、真空腔體約直徑260mm，
2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英
3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米 更多詳細(xì)