適用范圍: GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應(yīng)用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。
主要技術(shù)指標
測量包括:
• 遷移率測試
• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs
• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs
• 載流子濃度測試
• 電阻率測試
• 電阻測量
• 低電阻范圍 1uohm to 1Mohm
• 寬電阻范圍 1uohm to 100Gohm
• 高電阻范圍 1ohm to 100Gohm
• 范德堡法測試范圍
• 霍爾巴法測試
磁帽:
• 可更換帽
• 標準25mm
• 在0-130mm間距連續(xù)可調(diào)
• 更大帽直徑可選,50mm,75mm
電磁鐵:
• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface
• ±35V, ±70A電源
• 磁場>±IT@25mmpolegap
• 線圈電阻: 0.5 Ω (20°C)
• 水冷
溫度選項:
• 低溫 3K-300K
• 高溫300K-1273K
納米磁學(xué)高斯計:
• 磁場掃描采用集成高斯計
• 磁場校準采用霍爾探頭
• 高靈敏度的磁場測量
• 所有參數(shù)可通過軟件控制
樣品架:
• 4,6 or8范德堡或霍爾巴測試設(shè)計
• 易于樣品安裝與彈簧連接
• 5mmx5mm樣品大小(提供更大選件)
• 多個樣品安裝
控制器和軟件:
• 使用我們軟件可逐層的進行遷移率分析
• 基于C# 的全自動軟件分析
• 非常寬的溫度測試范圍,3-1,300K
• 采用高斯計進行磁場的控制
• 非常容易的進行范德堡霍爾巴方法樣品測試
• 提供軟件終生升
關(guān)鍵詞:
霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng) HEMS
深圳市科時達電子科技有限公司我們的主營業(yè)務(wù)涉及了研發(fā)銷售及加工電子材料及周邊產(chǎn)品;電子光電產(chǎn)品設(shè)備組裝及銷售,半導(dǎo)體
儀器設(shè)備銷售;國內(nèi)貿(mào)易、貨物及技術(shù)進出口;醫(yī)療器械研發(fā)及銷售;醫(yī)用耗材及醫(yī)療用品的銷售等。