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SVT-35等 美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)

  • 市場價格： 電議
  • 產(chǎn)品型號： SVT-35等
  • 更新時間： 2021/11/25 11:10:03
  • 生產(chǎn)地： 中國大陸
  • 訪問次數(shù)： 75次

    • 公司名稱： 北京中精儀科技有限公司

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企業(yè)檔案

企業(yè)類型：辦事處

公司地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街甲6號鑄誠大廈610

主營產(chǎn)品：銷售機(jī)械設(shè)備，儀器儀表，化工產(chǎn)品，材料力學(xué)試驗機(jī)，材料表面分析，半導(dǎo)體設(shè)備/CMP ，生化儀器，扭矩測試儀

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產(chǎn)品簡介
美國SVT公司是世界MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗。占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺。SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國總部都有服務(wù)工程師。

詳細(xì)內(nèi)容

詳細(xì)內(nèi)容

公司簡介

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)


美國SVT公司是世界MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗。


占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。


SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺。


SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國總部都有服務(wù)工程師。

 

型號應(yīng)用樣品尺寸

35-4

III-V, 或其他化合物半導(dǎo)

 

4’’

35-N

氮化物半導(dǎo)體

4’’或3X2’’

35-6

III-V或II-VI   或其他化合物半導(dǎo)體

4’’, 6’’或多片2’’

35-G-4

III-V化合物，SiGe

4’’

SM-6

Si，Ge，金屬

4’’或6’’

S-8

Si，Ge，介質(zhì)材料

8’’可配集成腔室

SVT-V

化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料

2’’或3’’

35-D

雙生長腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半導(dǎo)體，鐵磁材料

3’’或4’’

35-V

CIGS

3’’或4’’

NanoFab

II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料

1’’或2’’

UVD-02

氧化物或其他介質(zhì)材料

4’’, 可配有液態(tài)源

PLD-02

氧化物半導(dǎo)體、高溫超導(dǎo)材料、光學(xué)晶體材料、電光學(xué)薄膜、鐵電以及鐵磁材料等

4’’, 激光/電子束沉積

35V14

化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料

14’’或多個小尺寸

 

 

SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設(shè)計，主要包括裝載室模塊，預(yù)備或分析室模塊，主生長室模塊。可配10個源，線性移動擋板。每個模塊都有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。

 

Model 35-6 AlGaAs（或其他半導(dǎo)體材料）研究和生產(chǎn)型設(shè)備，

樣品尺寸可達(dá)6英寸。

可容納10個cell。

真空度< 1&times;10-10Torr。

可配普通束流源、裂解源、RF源、電子束蒸發(fā)源。


Model 35-N-V 標(biāo)準(zhǔn)4''襯底MBE平臺，用于生長高質(zhì)量的氮化物半導(dǎo)體材料。

可容納10個cell。

真空度< 1&times;10-10Torr。

設(shè)計考慮了嚴(yán)格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。

氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。


26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置。

真空度< 1&times;10-10Torr。

此多元化MBE平臺可以生長研究各種氧化物材料。

該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個熱蒸發(fā)源或等離子源等。

氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號。


Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長高質(zhì)量的Si/Ge及相關(guān)化合物。

真空度< 1&times;10-10Torr。

可容納9個普通源及1個電子束蒸發(fā)源，或6個普通源及2個電子束蒸發(fā)源。

該系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術(shù)，

并通過傳感器反饋控制技術(shù)實現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性。

 

 

 

 

 

 


關(guān)鍵詞：SVT-35等    美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)  

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